Объём памяти смартфонов станет больше
О переходе на 20-нанометровый технологический процесс объявили Micron и Intel. Ими был представлен первый тестовый образец чипа NAND-памяти 8 Гб объема. Этому чипу флеш-памяти характерна многоуровневая структура ячеек (MLC). Он занимает площадь в 118 мм.2, что позволяет на 30-40% сэкономить место на плате.
Данная совместная разработка Micron и Intel говорит о том, что внутренняя память в планшетах, смартфонах и твердотельных накопителях (SSD) довольно скоро будет обладать большей емкостью. В официальном пресс-релизе сообщается, что идеи по массовому производству новых чипов будут воплощены в жизнь в этом году.
В планы этих компаний также входит представление чипа объемом 16 Гб. Он позволит вместить NAND-память, емкость которой 128 Гб, в устройство меньше размера почтовой марки. Выпуском флеш-памяти по новой технологии будет заниматься совместное предприятие IM Flash Technologies.
До этого совместным предприятием Toshiba и SanDisk выпускались самые компактные чипы NAND-памяти, которые были изготовлены по 24-нанометровому процессу. Производство флеш-чипов по 25-нанометровому процессу было начато Micron и Intel в январе 2010 года. SSD-накопители третьего поколения, объём памяти которых равен до 600 Гб, Intel выпустил две недели назад.